忆阻器

时间:2024-10-27 08:08:21编辑:优化君

忆阻器的介绍

忆阻器,全称记忆电阻(Memristor)。它是表示磁通与电荷关系的电路器件。忆阻具有电阻的量纲,但和电阻不同的是,电阻的阻值是由流经它的电流决定,而忆阻的阻值是由流经它的电荷确定。因此,通过测定忆阻的阻值,便可知道流经它的电荷量,从而有记忆电荷的作用。1971年1,蔡少棠从逻辑和公理的观点指出,自然界应该还存在一个电路元件,它表示磁通与电荷的关系。2008年2,惠普公司的研究人员首次做出纳米忆阻器件,掀起忆阻研究热潮。纳米忆阻器件的出现,有望实现非易失性随机存储器。并且,基于忆阻的随机存储器的集成度,功耗,读写速度都要比传统的随机存储器优越。此外,忆阻是硬件实现人工神经网络突触的最好方式3。由于忆阻的非线性性质,可以产生混沌电路,从而在保密通信中也有很多应用4。

忆阻器的发展过程

HP 关于忆阻器的发现在 2008 年时发表于「自然」期刊,2009 年证明了 CrossLatch 的系统很容易就能堆栈,形成立体的内存。技术每个电线间的「开关」大约是 3nm x 3nm 大,开关切换的时间小于0.1ns,整体的运作速度已和 DRAM差不多, 但是开关次数还不如DRAM-- 还不足以取代 DRAM,但是靠着 1 cm² 100 gigabit(GB), 1cm³ 1 petabit(数据存储单位1PB=1000TB)(别忘了它是可以堆栈的)的惊人潜在容量,干掉闪存是绰绰有余的。但是 Crossbar Latch 可不止用来储存数据而已。它的网格状设计,和每个交叉点间都有开关,意味着整组网格在某些程度上是可以逻辑化的。在原始的 Crossbar Latch 论文中就已经提到了如何用网格来模拟 AND、OR 和 NOT 三大逻辑闸,几个网格的组合甚至可以做出加法之类的运算。这为摆脱晶体管进到下一个世代开了一扇窗,很多人认为忆阻器电脑相对于晶体管的跃进,和晶体管相对于真空管的跃进是一样大的。另一方面,也有人在讨论电路自己实时调整自己的状态来符合运算需求的可能性。这点,再搭配上忆阻器的记忆能力,代表着运算电路和记忆电路将可同时共存,而且随需要调整。这已经完全超出了这一代电脑的设计逻辑,可以朝这条路发展下去的话,或许代表着新一代的智慧机器人的诞生。忆阻器和 Crossbar Latch 的组合代表的是电脑科技的全新进展,或许能让我们再一次延续摩尔定律的生命,朝向被机器人统治的未来前进。惠普实验室的研究人员认为RRAM就是Chua所说的忆阻器,其报道的基于TiO2的RRAM器件在2008年5月1日的《自然》期刊上发表。加州大学伯克利分校教授蔡少棠,1971年发表《忆阻器:下落不明的电路元件》论文,提供了忆阻器的原始理论架构,推测电路有天然的记忆能力,即使电力中断亦然。惠普实验室的论文则以《寻获下落不明的忆阻器》为标题,呼应前人的主张。蔡少棠接受电话访问时表示,当年他提出论文后,数十年来不曾继续钻研,所以当惠普实验室人员几个月前和他联系时,他吃了一惊。RRAM可使手机将来使用数周或更久而不需充电;使个人电脑开机后立即启动;笔记型电脑在电池耗尽之后很久仍记忆上次使用的信息。忆阻器也将挑战掌上电子装置内普遍使用的闪存,因为它具有关闭电源后仍记忆数据的能力。RRAM将比今日的闪存更快记忆信息,消耗更少电力,占用更少空间。忆阻器跟人脑运作方式颇为类似,惠普说或许有天,电脑系统能利用忆阻器,像人类那样将某种模式(patterns)记忆与关联。RRAM为制造非易失性存储设备、即开型PC、更高能效的计算机和类似人类大脑方式处理与联系信息的模拟式计算机等铺平了道路,未来甚至可能会通过大大提高晶体管所能达到的功能密度,对电子科学的发展历程产生重大影响。研究人员表示,忆阻器器件的最有趣特征是它可以记忆流经它的电荷数量。蔡教授原先的想法是:忆阻器的电阻取决于多少电荷经过了这个器件。也就是说,让电荷以一个方向流过,电阻会增加;如果让电荷以反向流动,电阻就会减小。简单地说,这种器件在任一时刻的电阻是时间的函数———或多少电荷向前或向后经过了它。这一简单想法的被证实,将对计算及计算机科学产生深远的影响。 比勒菲尔德大学托马斯博士及其同事在2012年就制作出了一种具有学习能力的忆阻器。2013年,安迪·托马斯利用这种忆阻器作为人工大脑的关键部件,他的研究结果将发表在《物理学学报D辑:应用物理学》杂志上。安迪·托马斯解释说,因为忆阻器与突触的这种相似性,使其成为制造人工大脑——从而打造出新一代的电脑——的绝佳材料,“它使我们得以建造极为节能、耐用,同时能够自学的处理器。”托马斯的文章总结了自己的实验结果,并借鉴其他生物学和物理学研究的成果,首次阐述了这种仿神经系统的电脑如何将自然现象转化为技术系统,及其中应该遵循的几个原则。这些原则包括,忆阻器应像突触一样,“注意”到之前的电子脉冲;而且只有当刺激脉冲超过一定的量时,神经元才会做出反应,忆阻器也是如此。忆阻器能够持续增高或减弱电阻。托马斯解释道:“这也是人工大脑进行学习和遗忘的过程中,忆阻器如何发挥作用的基础。”

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