cvd是什么意思
化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。然后，考虑沉积薄膜中的变数：如在整个晶片内厚度的均匀性和在图形上的覆盖特性(后者指跨图形台阶的覆盖)，薄膜的化学配比(化学成份和分布状态)，结晶晶向和缺陷密度等。当然，沉积速率也是一个重要的因素，因为它决定着反应室的产出量，高的沉积速率常常要和薄膜的高质量折中考虑。反应生成的膜不仅会沉积在晶片上，也会沉积在反应室的其他部件上，对反应室进行清洗的次数和彻底程度也是很重要的。化学家和物理学家花了很多时间来考虑怎样才能得到高质量的沉积薄膜。他们已得到的结论认为：在晶片表面的化学反应首先应是形成“成核点”，然后从这些“成核点”处生长得到薄膜，这样淀积出来的薄膜质量较好。另一种结论认为，在反应室内的某处形成反应的中间产物，这一中间产物滴落在晶片上后再从这一中间产物上淀积成薄膜，这种薄膜常常是一种劣质薄膜。
cvd设备是干什么的
CVD设备（Chemical Vapor Deposition Equipment）用于执行化学气相沉积（CVD）技术，用于制备各种类型的薄膜。CVD设备提供了一个控制温度、压力和反应气氛等参数的环境，以促使反应气体在基底表面发生化学反应并形成薄膜。
CVD设备的主要功能包括：
1. 反应室：CVD设备中的核心部分是反应室，它提供了进行CVD过程所需的封闭空间。反应室通常具有高真空密封性能，以确保适当的气氛和反应条件。
2. 加热系统：CVD过程通常需要在一定的温度下进行，因此CVD设备配备了加热系统，用于加热反应室和基底，以提供所需的温度条件。
3. 气体供应系统：CVD设备配备了气体供应系统，用于供应反应气体或气体混合物。通过控制气体流量和比例，可以调节反应气氛和薄膜的成分。
4. 压力控制系统：CVD设备还配备了压力控制系统，用于调节反应室的压力。这是为了确保反应气体在适当的压力下进行反应，同时避免不必要的泄漏或压力变化。
5. 废气处理系统：CVD过程产生大量废气，其中可能含有有害物质。因此，CVD设备通常配备了废气处理系统，用于处理和过滤废气，以满足环境和安全要求。
6. 控制系统：CVD设备还具备相应的控制系统，用于监测和调节反应条件，包括温度、压力、气体流量等参数。这些系统可确保CVD过程的稳定性和可重复性。
