场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种基于电场效应的电子器件。它利用材料中的载流子在电场作用下发生的变化，从而实现电流控制，可以用作放大器、开关等电路中。其工作原理可以简单地分为三个过程：激活、增强和抑制。
激活：场效应管的基本结构是由源极、漏极和栅极构成的。当栅极加上正电荷（或者阴极加负电荷）后，它会在源漏间形成一个电场。这个电场的方向和大小都会受到栅极电势的影响。当栅极电势大于某一临界值时，电场会足够强大，可以将源漏之间的场空间穿透，形成通道，从而允许载流子流过。
增强：当载流子通过通道时，它们会产生电流，这个电流可以用栅源电势来控制。如果栅源电势增加，通道中的载流子就会得到更多的吸引力，从而使电流增大。这个过程被称作增强，也就是说，栅源电势加强会使空间变得更加导电。
抑制：与增强相反，当栅源电势下降时，载流子会受到更小的吸引力，从而流动减小，空间变得更加寸滞，形成抑制作用。这是由于电场效应只有在栅极电势高于临界值时才能有效，而当电势下降时，通道会被关闭，从而阻止载流子进入。
总体来讲，场效应的工作原理是通过改变栅源电势来控制电流，在电子器件的设计中有着重要的应用，可用于放大、开关、振荡等多种电路中。
