IGBT是 Insulate Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，是一种用于功率电子器件的晶体管。
IGBT最初是在1980年*出来的，其优点是同时具备了普通型晶体管和场效应晶体管的主要优点，并且改善了它们的缺点。 它们结合了双极性和场效应型晶体管的优点，即快速切换速度，高输入阻抗，及高电流密度能力。 它们在大规模的电源功率控制、高电压速度控制及电机控制应用中得到了广泛的应用。
IGBT的控制方式是：它的栅结构类似于MOSFET，并且具有极高的输入阻抗，因此它可以很容易地驱动，从而使得IGBT具有MOSFET的优点。 在工作时，IGBT的控制电压应该大于门阈电压，但小于最大允许电压。当电流从源极流入时，它被扩散到N型区，同时形成一个PN结。随着栅极电压增加，PN结被反向偏压，电子得以流入集电极。
除了高性能、低损耗和低成本之外，IGBT还具有其他的优点。例如，IGBT灵活性好，可以广泛应用于不同类型的电路中，同时还可以通过引入附加电路来提高其性能。 另外，IGBT还具有减少损耗和提高效率的作用，这对于功率电子设备的设计来说是至关重要的。
总之，IGBT是一种高性能的功率电子器件，它继承了普通型晶体管和场效应晶体管的优点，并且改善了它们的一些缺点。它广泛应用于电力电子技术、电机调速、输配电等各种领域，是现代高效能的电力控制和变换的重要组成部分。
